型号/品牌/封装
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库存
价格(含税)
资料
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描述:
先进的功率MOSFET （ 200V ， 0.18ohm ， 12.8A ） Advanced Power MOSFET (200V, 0.18ohm, 12.8A)
4641
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描述:
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
1965
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描述:
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
7473
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描述:
PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
2390
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描述:
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail
2886
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描述:
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
8385
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描述:
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
1020
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描述:
P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
1321
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描述:
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
4769
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描述:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS356AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V
8424
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描述:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS351AN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 250 mohm, 10 V, 2.1 V
6844
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描述:
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
5517
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描述:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT454P 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.9 A, -30 V, 50 mohm, -10 V, -2.7 V
3674
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描述:
44A ， 50V ， 0.022 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 44A, 50V, 0.022 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
6803
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描述:
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
6892
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描述:
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
5228
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描述:
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
8200
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描述:
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
9826
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描述:
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
9942
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描述:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 8Pin Power 56 EP T/R
3790
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描述:
QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
5928
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描述:
Trans MOSFET N-CH 520V 1.3A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail
6242
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描述:
UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
8870
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描述:
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
8402
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描述:
PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
9856
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描述:
60A ， 55V ， 0.019 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
8109
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描述:
PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
8559
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描述:
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
5019
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描述:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6637 晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -35 V, 9.7 mohm, -10 V, -1.6 V
5612
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品类: MOS管描述:551720-49￥0.391550-99￥0.3625100-299￥0.3480300-499￥0.3364500-999￥0.32771000-4999￥0.32195000-9999￥0.3161≥10000￥0.3103
